[实用新型]用于反应式等离子体沉积工艺腔的工艺压力控制系统有效
申请号: | 201721388340.1 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN207276711U | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 马峥 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 赵景平,张春雨 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于反应式等离子体沉积工艺腔的工艺压力控制系统,包括工艺腔、设置在工艺腔内的阴极管以及与工艺腔的抽气端连接的抽真空装置,还包括控制器,以及分别与控制器电连接的压力传感器、第一电控流量计、第二电控流量计和第三电控流量计;压力传感器安装在工艺腔上,用于检测工艺腔内的气压;离化气体经由第一电控流量计通入到阴极管内;压力调节气体经由第二电控流量计通入到工艺腔内;反应气体经由第三电控流量计通入到工艺腔内。本实用新型能够满足RPD设备的工艺要求,在获得稳定、可靠的成膜质量的同时,解决了人工计算和调节工艺压力所产生的操作繁琐、计算复杂、过程滞后以及控制精度差的问题。 | ||
搜索关键词: | 用于 反应式 等离子体 沉积 工艺 压力 控制系统 | ||
【主权项】:
一种用于反应式等离子体沉积工艺腔的工艺压力控制系统,包括工艺腔、所述工艺腔上的阴极管以及与所述工艺腔的抽气端连接的抽真空装置,其特征在于,还包括:控制器,以及分别与所述控制器电连接的压力传感器、第一电控流量计、第二电控流量计和第三电控流量计;所述压力传感器安装在所述工艺腔上,用于检测所述工艺腔内的气压;离化气体经由所述第一电控流量计通入到所述阴极管内;压力调节气体经由所述第二电控流量计通入到所述工艺腔内;反应气体经由所述第三电控流量计通入到所述工艺腔内。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的