[实用新型]一种光刻工艺中的晶圆结构有效
| 申请号： | 201721304296.1 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN207765451U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻工艺中的晶圆结构，涉及半导体集成电路制造技术领域，包括一硅晶圆，所述硅晶圆上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜，本申请提供一种晶圆结构，使对准标记可以在外延过程得到保护，在外延工艺后，通过刻蚀工艺可以使对准标记恢复，结构简单，制造方便。 | ||
| 搜索关键词： | 对准标记 光刻工艺 晶圆结构 硅晶圆 半导体集成电路制造 透明介质膜 刻蚀工艺 外延工艺 外延过程 圆结构 种晶 覆盖 申请 制造 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种光刻工艺中的晶圆结构，其特征在于，包括一硅晶圆(1)，所述硅晶圆(1)上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜(2)。
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