[实用新型]一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥有效

专利信息
申请号: 201720918375.5 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN207097816U 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 王迎春;赵晶;高超;徐姝丽;黄吉明;史伟伟 申请(专利权)人: 济南市半导体元件实验所
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/043;H01L23/06;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/52;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司37105 代理人: 杨先凯
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥,选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路,选用高导热的无氧铜材料作为金属底板,内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体,采用高温合金钎料焊接芯片,电连接采用高纯铝丝超声键合,电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封,采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性;经过实验验证,本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作,其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。
搜索关键词: 一种 高压 大功率 碳化硅 肖特基 整流
【主权项】:
一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥,其特征在于,包括金属陶瓷封装外壳、四个芯片、八根键合丝以及高绝缘电阻灌封胶;所述金属陶瓷封装外壳包括金属底板、金属框、金属盖板、钼片、氮化铝陶瓷片、四块铜钼铜片、四个陶瓷绝缘子以及四根引线;所述金属底板封盖所述金属框的底端出口且所述金属盖板封盖所述金属框的顶端出口以使得所述金属底板、金属框以及金属盖板构成一个内含空腔的密封箱体结构,所述金属底板与所述金属框通过银铜钎料钎焊连接;所述金属底板的位于空腔中的表面上设置有凹坑;所述钼片通过银铜钎料钎焊在所述凹坑中;所述氮化铝陶瓷片通过银铜钎料钎焊在所述钼片的上表面上;四块铜钼铜片通过银铜钎料钎焊平铺在所述氮化铝陶瓷片的上表面上且四块铜钼铜片构成导电图形;所述金属框的一个侧面壁上开设有四个用于穿插固定所述陶瓷绝缘子的第一通孔;每个所述陶瓷绝缘子上沿其轴向中心线设置有用于穿插固定所述引线的第二通孔;所述陶瓷绝缘子通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第一通孔中,四个陶瓷绝缘子与四个第一通孔一一对应;所述引线通过银铜钎料钎焊穿插固定在所述第二通孔中,四根引线与四个第二通孔一一对应;四个引线的且位于所述空腔中的一端与相应的四块铜钼铜片通过导电线一一对应地电连接;所述金属底板、金属框、钼片、四块铜钼铜片、四根引线以及四根导电线的所有外露的金属面上从内到外依次镀有一层镍与一层金;所述芯片通过真空钎焊铅锡银钎料焊接在所述铜钼铜片上的金镀层上,且四个芯片与四块铜钼铜片一一对应;八根键合丝中每两根为一组,一共是四组键合丝,每组键合丝的一端通过超声键合与所述芯片的上表面上的键合区连接,每组键合丝的另一端通过超声键合与一块铜钼铜片连接,四组键合丝与四个芯片一一对应且四组键合丝与四块铜钼铜片一一对应;四个芯片、四块铜钼铜片、四组键合丝以及四根引线按照碳化硅肖特基整流桥的电路结构进行电连接;所述空腔中灌注有用于整体包裹封盖所述空腔中的所有零件的高绝缘电阻灌封胶;所述金属盖板与所述金属框通过平行缝焊焊接密封连接。
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