[发明专利]一种新型电压域振荡二极管

摘要

本发明涉及一种新型电压域振荡二极管。本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n+‑qInGaN集电区层、i‑InGaN第一隔离层、i‑InGaN第一势垒层、i‑InGaN量子阱层、i‑GaN第二势垒层、i‑InGaN第二隔离层、n+‑InGaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚和发射区金属电极引脚。本发明采用GaN基双势垒单量子阱超晶格结构的势垒层极化电场削弱外加电场作用，有效抑制低偏置电压区域带内共振隧穿；利用紧邻集电极势垒的集电区耗尽层作为集电极势垒的辅助势垒，伏安特性在较高偏压区表现为多协调制电流振荡各能级对应电子波函数的共振隧穿与叠加，形成很多个微分负阻区与正电阻区相间排列。

主权项

1.一种新型电压域振荡二极管，包括基底、集电区层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、发射区层、钝化层、集电区金属电极引脚和发射区金属电极引脚；其特征在于：所述的基底上表面外延集电区层，集电区层上表面中部外延第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层与发射区层；第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层和发射区层构成共振隧穿二极管的中央量子结构区域；中央量子结构区域上表面为发射区金属电极引脚，中央量子结构区域外侧沉积有钝化层，钝化层外侧为集电区金属电极引脚；基底为初始上表面为镓面的厚度102‑103μm的绝缘本征GaN层，集电区层为为10‑2‑100μm厚的n+‑qInGaN层，第一隔离层为为0‑101nm厚的i‑InGaN层，第一势垒层为为1‑6CAlGaN厚的i‑AlGaN层，量子阱层为1‑7CInGaN厚的为i‑InGaN层，第二势垒层为为1‑5CGaN厚的i‑GaN层，第二隔离层为100‑101nm厚的i‑InGaN层，发射区层为10‑2‑100μm厚的n+‑InGaN层，钝化层为101μm厚的AlN层，CM为材料M的晶格常数，单位nm；以绝缘本征GaN基底作为器件载体，起到决定器件层外延生长方向、支撑器件层、器件层中器件之间的隔离及辅助工作中的器件散热的作用；在绝缘本征GaN基底上表面外延集电区层；集电区层起收集与传输渡越第一隔离层的电子流作用，在热学方面则作为第一隔离层与绝缘GaN基底及集电区金属电极引脚之间的热传导媒质；第一隔离层在器件结构上连接集电区层与第一势垒层，主要为穿过第一势垒层的电子提供通向集电区层的疏运路径、作为集电区层与第一势垒层之间的热传输路径及隔离集电区层中量子能级对第一势垒层两侧量子能级关系的影响、在外加偏压下形成与量子阱层中对应的共振量子能级等作用；势垒层在结构上隔离第一隔离层与量子阱层，作为第一隔离层与量子阱层之间的纳米级厚度有限高势垒，即第一隔离层与量子阱层之间电子量子共振隧穿的路径；量子阱层介于第一势垒层与第二势垒层之间，作为纳米级厚度有限深电子势阱提供沿能量纵向量子化的束缚量子态电子能级；第二势垒层在结构上隔离量子阱层与第二隔离层，作为量子阱层与第二隔离层之间的纳米级厚度有限高势垒，即量子阱层与第二隔离层之间电子量子共振隧穿的路径；第二隔离层在器件结构上连接势垒层与发射区层，主要疏运来自发射区层的电子，作为第二势垒层与发射区层之间的热传输路径，隔离发射区层中电子的量子能级对第二势垒层两侧束缚量子态能级关系的影响、在外加偏压下形成与量子阱层对应的共振量子能级等；发射区层与发射区金属电极引脚之间形成欧姆接触，连接第二隔离层与发射区金属电极引脚，作为第二隔离层与发射区金属电极引脚之间电子流的低阻通路和热传输路径；集电区金属电极引脚与集电区之间形成欧姆接触,连接器件集电区与外部电路；钝化层将器件的表面需要保护部分与外界环境之间隔离开来,并钝化表面悬挂键。