[发明专利]高压MOS器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201711460711.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979993B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 金炎 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压MOS器件及其制作方法、电子装置，该高压MOS器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成有源极和漏极，所述栅极结构包括位于所述半导体衬底上的栅极介质层，位于所述栅极介质层之上的浮栅、位于所述浮栅侧壁和上方的栅间隔离层，以及覆盖所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底且至少部分覆盖所述浮栅的控制栅，在所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漏端漂移区。该高压MOS器件可以实现10V以上的耐压。该高压MOS器件的制作方法和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成有源极和漏极，所述栅极结构包括位于所述半导体衬底上的栅极介质层，位于所述栅极介质层之上的浮栅、位于所述浮栅侧壁和上方的栅间隔离层，以及覆盖所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底且至少部分覆盖所述浮栅的控制栅，在所述浮栅和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漏端漂移区。
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