[发明专利]一种等离子体腔室的运行方法和等离子反应器在审
| 申请号： | 201711432453.1 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962001A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈星建;王红超;贺小明;刘身健;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体腔室的运行方法和等离子反应器，包含：硅深孔刻蚀过程和无晶圆清洁过程，在刻蚀过程中交替循环执行刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到等离子腔室中的晶圆上的刻蚀孔达到目标深度，完成至少一个硅深孔刻蚀过程后移除晶圆，进行无晶圆清洁过程，将腔室交替循环暴露于用以清除含COF的聚合物的第一等离子体和用以清除含硅的聚合物的第二等离子体中，以清除腔室内的分层团聚/固化的聚合物，进一步包含终点检测步骤：在利用第一和第二等离子体进行清洁的过程中，持续检测第一和第二等离子体中代表碳和硅的发射谱线的强度，当监测到碳和硅的发射谱线强度低于预设值时，结束无晶圆清洗过程。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 晶圆 刻蚀过程 聚合物 等离子反应器 等离子体腔室 发射谱线 交替循环 清洁过程 深孔 等离子腔室 侧壁保护 持续检测 晶圆清洗 刻蚀步骤 终点检测 刻蚀孔 清除腔 分层 后移 腔室 预设 固化 团聚 室内 清洁 暴露 监测 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体腔室的运行方法，其特征在于，包含：硅深孔刻蚀过程和无晶圆清洁过程，在刻蚀过程中交替循环执行刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到等离子腔室中的晶圆上的刻蚀孔达到目标深度，完成至少一个硅深孔刻蚀过程后移除晶圆，进行无晶圆清洁过程，将腔室交替循环暴露于第一等离子体和第二等离子体中，以清除腔室内的分层团聚/固化的聚合物，其中所述的第一等离子体用以清除含COF的聚合物，所述的第二等离子体用以清除含硅的聚合物，所述方法进一步包含终点检测步骤：在利用第一和第二等离子体进行清洁的过程中，持续检测所述第一和第二等离子体中代表碳和硅的发射谱线的强度，当监测到碳和硅的发射谱线强度低于预设值时，结束无晶圆清洗过程。
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