[发明专利]等离子体处理装置及基于聚焦环厚度监测的控制方法有效
| 申请号： | 201711407590.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109961998B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;刘身健 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理装置及基于聚焦环厚度监测的控制方法。等离子体处理装置内施加有射频偏置功率时，采集射频偏置功率的直流偏置电压的实测值，根据表示直流偏置电压与聚焦环厚度相关性的第一函数，计算与直流偏置电压的实测值对应的聚焦环的当前厚度，或根据表示直流偏置电压与阻抗相关性的第二函数，计算与直流偏置电压的实测值对应的阻抗监测值，并驱使阻抗调整器件进行阻抗调整，对因工艺处理影响导致聚焦环厚度变化，进而引起的聚焦环阻抗变化实现补偿，以使反应腔室内整体的阻抗状态维持平稳，确保等离子体处理装置对晶片的工艺处理效果。本发明无需打开反应腔室，可以简单快速地在现场对聚焦环厚度进行监测，成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 基于 聚焦 厚度 监测 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包含可被抽真空的反应腔室，其内部形成有对晶片进行工艺处理的等离子体；所述反应腔室内的底部设有承载晶片的基座，在所述晶片的外缘环绕设置有聚焦环；射频偏置功率通过相应的阻抗匹配网络连接至所述基座设置的下电极，其特征在于，所述等离子体处理装置，还包含：探测器，采集射频偏置功率的直流偏置电压，获得直流偏置电压的实测值；控制器，根据表示直流偏置电压与聚焦环厚度相关性的第一函数，计算与直流偏置电压的实测值对应的聚焦环的当前厚度。
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