[发明专利]垂直半导体器件

摘要

一种垂直半导体器件包括奇数单元块和偶数单元块、以及奇数块垫结构和偶数块垫结构。奇数单元块的每个包括包含在第一方向上交替堆叠的导电线和绝缘层的第一导电线结构。偶数单元块的每个包括具有与第一导电线结构基本相同的形状的第二导电线结构。奇数块垫结构连接到第一导电线结构的第一边缘部分。偶数块垫结构连接到第二导电线结构的与第一边缘部分相反的第二边缘部分。奇数单元块和偶数单元块的每个在第三方向上具有第一宽度。奇数块垫结构和偶数块垫结构的每个形成在衬底的具有在第三方向上大于第一宽度的第二宽度的区域上。

主权项

1.一种垂直半导体器件，包括：多个奇数单元块，每个奇数单元块包括在衬底上的多个第一导电线结构，其中所述多个第一导电线结构的每个包括在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上交替地堆叠并且在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸的导电线和绝缘层；多个偶数单元块，每个偶数单元块包括在所述奇数单元块之间的所述衬底上的多个第二导电线结构，其中所述多个第二导电线结构的每个具有与所述多个第一导电线结构的每个的形状基本相同的形状并在所述第二方向上延伸；奇数块垫结构，其在所述衬底上连接到所述第一导电线结构的第一边缘部分；以及偶数块垫结构，其在所述衬底上连接到所述第二导电线结构的第二边缘部分，其中所述第二边缘部分在所述第二方向上分别与所述第一边缘部分相反，其中所述多个奇数单元块的每个和所述多个偶数单元块的每个在第三方向上具有第一宽度，其中所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面并且基本上垂直于所述第二方向，以及所述奇数块垫结构和所述偶数块垫结构的每个形成在所述衬底的在所述第三方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度的区域上。