[发明专利]新型GaN基LED器件结构在审
| 申请号： | 201711382283.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108110113A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/46;H01L33/36 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型GaN基LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底；反光层，设置于所述导电衬底上；金属电极层，设置于所述反光层上；多个蓝光外延层和多个GaN紫外光外延层，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；第一阴极电极，设置于所述蓝光外延层上；第二阴极电极，设置于所述GaN紫外光外延层上；阳极电极，设置于所述导电衬底下。本发明将GaN外延片从蓝宝石衬底转移到具有良好电、热导特性的衬底材料上，可以提升器件的散热效率，延长器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 器件结构 导电 金属电极层 紫外光 阴极电极 反光层 衬底 蓝光 衬底材料 衬底转移 间隔排列 散热效率 使用寿命 提升器件 阳极电极 蓝宝石 热导 | ||
【主权项】：
1.一种新型GaN基LED器件结构，其特征在于，包括：导电衬底(410)；反光层(40)，设置于所述导电衬底(410)上；金属电极层(407)，设置于所述反光层(40)上；多个GaN蓝光外延层(10)和多个GaN紫外光外延层(20)，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；第一阴极电极(51)，设置于所述GaN蓝光外延层(10)上；第二阴极电极(52)，设置于所述GaN紫外光外延层(20)上；阳极电极(53)，设置于所述导电衬底(410)下。
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