[发明专利]新型GaN基LED器件结构在审
| 申请号： | 201711382283.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108110113A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/46;H01L33/36 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 器件结构 导电 金属电极层 紫外光 阴极电极 反光层 衬底 蓝光 衬底材料 衬底转移 间隔排列 散热效率 使用寿命 提升器件 阳极电极 蓝宝石 热导 | ||
1.一种新型GaN基LED器件结构，其特征在于，包括：
导电衬底(410)；
反光层(40)，设置于所述导电衬底(410)上；
金属电极层(407)，设置于所述反光层(40)上；
多个GaN蓝光外延层(10)和多个GaN紫外光外延层(20)，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；
第一阴极电极(51)，设置于所述GaN蓝光外延层(10)上；
第二阴极电极(52)，设置于所述GaN紫外光外延层(20)上；
阳极电极(53)，设置于所述导电衬底(410)下。
2.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述导电衬底(410)为掺杂Si片、铝板或者铜板。
3.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN蓝光外延层(10)包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN层(106)。
4.如权利要求3所述的器件结构，其特征在于，所述第一有源层(104)包括依次周期层叠分布的GaN势垒层(104a)和InGaN量子阱层(104b)。
5.如权利要求4所述的器件结构，其特征在于，所述GaN势垒层(104a)和InGaN量子阱层(104b)的层叠周期为8～30，所述InGaN量子阱层(104b)中的In含量为10～20％。
6.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN紫外光外延层(20)包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)、第二p型GaN层(206)。
7.如权利要求6所述的器件结构，其特征在于，所述第二有源层(204)包括依次周期层叠分布的Al
8.如权利要求7所述的器件结构，其特征在于，所述Al
9.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，还包括隔离层(12)，设置于所述GaN紫外光外延层(20)的四周。
10.如权利要求7所述的器件结构，其特征在于，所述隔离层(12)的材料为SiO
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