[发明专利]一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法在审
| 申请号： | 201711362182.7 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107973269A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈晨;杨洪星;韩焕鹏;何远东;杨静;王雄龙;范红娜;李明佳;庞炳远 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法，多层结构硅片为背损伤层、低阻重掺器件层、高阻支撑层三层结构，其制作方法为一、将低阻重掺硅化学腐蚀片背面进行损伤处理，制作背损伤层；二、将低阻重掺硅化学腐蚀片正面进行抛光；三、再将抛光后的低阻重掺硅化学腐蚀片正面与另一高阻硅抛光片直接键合；四、键合后进行热处理。由于背面经过损伤处理，硅片局部范围晶格变得不完整，应力场和应力集中点以及背损伤后的晶片在热处理时诱生的位错可以将器件区的有害杂质吸收并沉积，从而在器件层形成一定范围的洁净区，可在一定程度上减少由器件层有害杂质造成的键合界面缺陷的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 多层 结构 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法，其特征在于，所述多层结构硅片为背损伤层（1）、低阻重掺器件层（2）、高阻支撑层（3）三层结构，其制作方法为：一、将低阻重掺硅化学腐蚀片背面进行损伤处理，制作背损伤层；二、将低阻重掺硅化学腐蚀片正面进行抛光；三、再将抛光后的低阻重掺硅化学腐蚀片正面与另一高阻硅抛光片直接键合；四、键合后进行热处理。
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