[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。

主权项

1.一种晶片的加工方法，沿着间隔道对晶片进行分割，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层上在由形成为格子状的多条该间隔道划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片正面提供水溶性树脂而形成将该晶片正面整体包覆的保护膜；激光照射工序，沿着该间隔道经由该保护膜而照射激光从而将该功能层去除，并使该基板露出；保护膜检测工序，在实施了该激光照射工序之后，对该晶片上的形成有多个器件的区域是否包覆有该保护膜进行检测；保护膜再形成工序，当在该保护膜检测工序中检测到的结果是在该形成有多个器件的区域中存在未包覆该保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将该形成有多个器件的区域分别覆盖；等离子照射工序，在该保护膜再形成工序之后对该晶片进行等离子照射；以及分割工序，在该等离子照射工序之后，沿着该间隔道对晶片进行切削而将该晶片分割成各个芯片。