[发明专利]嵌入式闪存的制作方法

摘要

本发明涉及嵌入式闪存的制作方法，在基底上的存储区形成有栅极结构，通过在逻辑区和存储区形成导电层并覆盖光刻胶消除了逻辑区和存储区的台阶差，通过光刻胶回刻，暴露出部分导电层，该部分导电层覆盖所述栅极结构的顶部和部分侧墙，将剩余的光刻胶做为光刻胶保护层，刻蚀该部分导电层，从而暴露出栅极结构的顶部和部分侧墙，在栅极结构周围形成了一定厚度的导电层，去除光刻胶保护层后，在逻辑区和存储区都形成了覆盖所述基底的的导电层，与现有工艺中通过淀积较厚的多晶硅层并作平坦化处理消除逻辑区和存储区的台阶差的方法相比，减少了工艺流程并可节约成本。

主权项

1.一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上包括逻辑区和存储区，所述存储区形成有栅极结构，所述栅极结构包括位于其顶部的硬掩模层和位于其侧壁的侧墙；形成导电层，所述导电层覆盖所述存储区和所述逻辑区；形成光刻胶层，所述光刻胶层直接覆盖所述导电层，并且所述光刻胶层的表面平行于所述基底表面；去除覆盖所述存储区和所述逻辑区的部分厚度的所述光刻胶层，暴露出部分所述导电层，所述部分导电层覆盖所述硬掩模层和部分所述侧墙；以剩余厚度的所述光刻胶层作为光刻胶保护层，刻蚀所述导电层，暴露出所述硬掩模层和部分所述侧墙；以及去除所述光刻胶保护层。