[发明专利]半导体结构有效

专利信息
申请号: 201711288879.4 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN109585384B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 陈洁;陈宪伟;陈英儒 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;H01L25/065;H01L23/485
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供一种包括绝缘密封体、第一半导体管芯、第二半导体管芯及重布线路层的半导体结构。第一半导体管芯与第二半导体管芯嵌置在绝缘密封体中且彼此隔开。第一半导体管芯包括以能够触及的方式暴露出的第一有源表面及分布在所述第一有源表面处的第一导电端子。第二半导体管芯包括以能够触及的方式暴露出的第二有源表面及分布在所述第二有源表面处的第二导电端子。包括导电迹线的重布线路层设置在第一有源表面及第二有源表面上以及绝缘密封体上。导电迹线从第一半导体管芯电连接并蜿蜒地延伸到第二半导体管芯且所述导电迹线的总长度对绝缘密封体的顶部宽度的比率介于约3到约10范围内。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:绝缘密封体;第一半导体管芯,嵌置在所述绝缘密封体中,其中所述第一半导体管芯包括第一有源表面及第一导电端子,所述第一有源表面被所述绝缘密封体以能够触及的方式暴露出,所述第一导电端子分布在所述第一有源表面处;第二半导体管芯,嵌置在所述绝缘密封体中且与所述第一半导体管芯隔开,其中所述第二半导体管芯包括第二有源表面及第二导电端子,所述第二有源表面被所述绝缘密封体以能够触及的方式暴露出,所述第二导电端子分布在所述第二有源表面处;以及重布线路层,设置在所述第一半导体管芯的所述第一有源表面上、所述第二半导体管芯的所述第二有源表面上及所述绝缘密封体上,所述重布线路层包括导电迹线,其中所述导电迹线从所述第一半导体管芯电连接并蜿蜒地延伸到所述第二半导体管芯,且所述导电迹线的总长度对所述第一半导体管芯与所述第二半导体管芯之间的所述绝缘密封体的顶部宽度的比率介于约3到约10范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711288879.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top