[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种在具有后混合结构的等离子体处理装置中能够得到良好的蚀刻形状的等离子体处理装置和等离子体处理方法。通过具有如下特征的等离子体处理装置来解决上述课题，该等离子体处理装置包括：处理容器；设置于所述处理容器内的保持基片的载置台；能够从与所述载置台相对的位置供给第一气体的第一气体供给部；将所述第一气体等离子体化的高频电源；以包围所述载置台的周围的方式设置的、遮挡被等离子体化了的所述第一气体的遮挡部；经由所述遮挡部将所述处理容器内排气的排气部；和能够对所述遮挡部与所述排气部之间的空间供给第二气体的第二气体供给部。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理容器；

设置于所述处理容器内的保持基片的载置台；

能够从与所述载置台相对的位置供给第一气体的第一气体供给部；

将所述第一气体等离子体化的高频电源；

以包围所述载置台的周围的方式设置的、遮挡被等离子体化了的所述第一气体的遮挡部；

经由所述遮挡部将所述处理容器内排气的排气部；和

能够对所述遮挡部与所述排气部之间的空间供给第二气体的第二气体供给部。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具有控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部的动作的控制部。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一气体供给部能够供给第一吹扫气体，

所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部的动作，使得在对所述基片供给第二气体时，从所述第一气体供给部供给所述第一吹扫气体，从所述第二气体供给部供给所述第二气体。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部控制从所述第一气体供给部供给的所述第一吹扫气体的流量和所述载置台与所述第一气体供给部之间的距离中的至少任意一者，使得从所述第一气体供给部至所述第二气体供给部之间的气体的输送中，相比于流动扩散起主要作用。

5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在设从所述基片的端部至所述第二气体供给部的距离为L₁、与所述第一吹扫气体的气流垂直的空间截面积为S₁(x)、所述第一吹扫气体的供给流量为Q₁、所述处理容器内的压力为P₁、所述第二气体相对于所述第一吹扫气体的扩散系数为D₁时，所述控制部控制从所述第一气体供给部供给的所述第一吹扫气体的流量和与第一吹扫气体的气流垂直的空间截面积S₁(x)中的至少任意一者，使得按照以下的式(2)计算出的佩克莱数Pe₁比1小，

式(2)：

6.如权利要求2至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二气体供给部能够供给第二吹扫气体，

所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部的动作，使得在对所述基片供给所述第一气体时，从所述第一气体供给部供给所述第一气体，从所述第二气体供给部供给所述第二吹扫气体。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部控制从所述第一气体供给部供给的所述第一气体的流量和所述载置台与所述第一气体供给部之间的距离中的至少任意一者，使得从所述第一气体供给部至所述第二气体供给部之间的气体的输送中，相比于扩散流动起主要作用。

8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在设从所述基片的端部至所述第二气体供给部的距离为L₂、与所述第一气体的气流垂直的空间截面积为S₂(x)、所述第一气体的供给流量为Q₂、所述处理容器内的压力为P₂、所述第二吹扫气体相对于所述第一气体的扩散系数为D₂时，所述控制部控制从所述第一气体供给部供给的所述第一气体流量和与第一气体的气流垂直的空间截面积S₂(x)中的至少任意一者，使得按照以下的式(3)计算出的佩克莱数Pe₂比1大，

式(3)：

9.如权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二气体为氨基硅烷类气体。

10.一种等离子体处理方法，其为包括处理空间和排气空间的等离子体处理装置中的处理方法，所述处理空间用于在处理容器中将气体供给到基片并进行规定的处理，所述排气空间与所述处理空间连通并且具有比所述处理空间的压力小的压力，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：

吸附步骤，通过向所述排气空间供给第二气体，并向所述处理空间供给吹扫气体，使所述第二气体吸附在所述基片上；

反应步骤，通过向所述处理空间供给与所述第二气体进行反应的第一气体，生成所述第二气体与所述第一气体的反应生成物；和

蚀刻步骤，通过向所述处理空间供给蚀刻气体，来蚀刻所述反应生成物的至少一部分。