[发明专利]边界间隔物结构以及集成有效
| 申请号： | 201711281409.5 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109119470B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | J·R·霍尔特;亓屹;罗先庆;彭建伟 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及与鳍FET器件一起使用的N‑P边界间隔物结构及其制造方法。该方法包括：形成多个第一鳍结构；在多个鳍结构中的第一鳍结构和多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；以及在第一鳍结构上形成外延材料，而至少通过形成在第一鳍结构和第二鳍结构之间的阻挡层来阻挡外延材料延伸到第二鳍结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 边界 间隔 结构 以及 集成 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成多个第一鳍结构；在多个鳍结构中的第一鳍结构与多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；以及在所述第一鳍结构上形成外延材料，而通过形成在所述第一鳍结构与所述第二鳍结构之间的所述阻挡层来阻挡所述外延材料延伸到所述第二鳍结构上。
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