[发明专利]应变损失缓解方法及其结构有效
| 申请号： | 201711270023.4 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109427895B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王胜雄;张永丰;谢东衡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于缓解应变损失(如，在FinFET沟道中)的方法和结构，包括提供一种半导体器件，具有：衬底，具有衬底鳍部；有源鳍区域，形成在衬底鳍部的第一部分上方；拾取区域，形成在衬底鳍部的第二部分上方；以及锚接件，形成在衬底鳍部的第三部分上方。在一些实施例中，衬底鳍部包括第一材料，并且有源鳍区域包括与第一材料不同的第二材料。在各种示例中，锚接件设置在有源鳍区域与拾取区域之间并且与其中的每一个都相邻。本发明实施例涉及应变损失缓解方法及其结构。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 损失 缓解 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有衬底鳍部，其中，所述衬底鳍部包括第一材料；第一区域，形成在所述衬底鳍部的第一部分上方，其中，所述第一区域包括与所述第一材料不同的第二材料；第二区域，形成在所述衬底鳍部的第二部分上方；以及锚接件，形成在所述衬底鳍部的第三部分上方，其中，所述锚接件设置在所述第一区域与所述第二区域之间并且与所述第一区域和所述第二区域中的每一个都相邻。
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