[发明专利]用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案有效
| 申请号： | 201711190759.0 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427892B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;蔡庆威;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括蚀刻混合衬底以形成延伸至混合衬底中的凹槽。混合衬底包括具有第一表面取向的第一半导体层、位于第一半导体层上方的介电层以及具有与第一表面取向不同的第二表面取向的第二半导体层。在蚀刻之后，第一半导体层的顶面暴露于凹槽。间隔件形成在凹槽的侧壁上。间隔件接触介电层的侧壁和第二半导体层的侧壁。进行外延以从第一半导体层生长外延半导体区域。去除间隔件。本发明实施例涉及用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 finfet 性能 混合 方案 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：蚀刻混合衬底以形成延伸至所述混合衬底内的凹槽，其中，所述混合衬底包括：第一半导体层，具有第一表面取向；介电层，位于所述第一半导体层上方；和第二半导体层，具有与所述第一表面取向不同的第二表面取向，其中，在所述蚀刻之后，所述第一半导体层的顶面暴露于所述凹槽；在所述凹槽的侧壁上形成间隔件，其中，所述间隔件接触所述介电层的侧壁和所述第二半导体层的侧壁；实施外延以从所述第一半导体层生长外延半导体区域；以及去除所述间隔件。
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