[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711190676.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109841628B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 廖廷丰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李春伟 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离。此种半导体结构还包括多个存储单元构成的一三维阵列。该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在次阵列结构中。此种半导体结构还包括多个导电结构。导电结构的每一个包括沿着隔离结构的一延伸方向对应设置在隔离结构的每一个中的多个导电柱。导电柱穿过隔离结构的每一个。导电柱的每一个具有圆形剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离；多个存储单元构成的一三维阵列，其中该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在该些次阵列结构中；以及多个导电结构，其中该些导电结构的每一个包括沿着该些隔离结构的一延伸方向对应设置在该些隔离结构的每一个中的多个导电柱，该些导电柱穿过该些隔离结构的该每一个，且该些导电柱的每一个具有圆形剖面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
