[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：半导体衬底、沟槽、氧化层、内衬层以及介质层，沟槽用以隔离第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管，氧化层形成于沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于沟槽的氧化层的表面，且沟槽底部的内衬层被完全去除或部分去除，以形成具有隔离间隙的非连续内衬层，介质层填充于沟槽中。本发明将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，以形成具有隔离间隙的非连续内衬层，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。本发明可以减小PMOS晶体管之间的漏电流，并减小PMOS晶体管老化后维持电流的异常增加。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成沟槽；2)于所述沟槽的侧壁及底部形成氧化层；3)于所述沟槽的所述氧化层的表面形成内衬层；4)刻蚀位于所述沟槽底部的所述内衬层，以形成具有隔离间隙的非连续内衬层；以及5)于所述沟槽中沉积介质层，并进行平坦化处理以形成浅沟槽隔离结构；6)制作第一晶体管及第二晶体管于所述浅沟槽隔离结构的两侧，藉由所述浅沟槽隔离结构隔离所述第一晶体管及所述第二晶体管；其中，所述浅沟槽隔离结构底部的所述内衬层完全去除，且所述浅沟槽侧壁的所述非连续内衬层的底端与所述沟槽底部的所述氧化层之间具有间隔，所述非连续内衬层的底端低于所述第一晶体管及第二晶体管的源区或漏区的底部。