[发明专利]一种提高硅外延生长均匀性的工艺在审
| 申请号： | 201711167907.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107968040A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 何佳;刘藩东;吴林春;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高硅外延生长均匀性的工艺，本发明的方案沟道刻蚀步骤后，不进行原位灰化处理，因此能够显著减少硅槽底部硅的氧化现象的发生；同时，采用相较于传统Mattson处理温度更低和处理时间更短的温和的灰化处理，能够进一步减少硅槽底部硅的氧化现象的发生；此外，在温和的灰化处理后还增加了HF溶液的湿法清洗步骤，比SPM湿法工艺能够更为有效的清除硅槽底部的氧化物杂质。综上，一方面，减少了氧化物杂质的形成，另一方面又加大了氧化物杂质的清除力度，从而能够提高后续硅外延生长的质量，保证硅外延层高度的均匀性和与目标高度的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 外延 生长 均匀 工艺 | ||
【主权项】：
一种提高硅外延生长均匀性的工艺，其特征在于包括以下步骤：形成衬底堆叠结构；为形成沟道进行的光刻；为形成沟道进行的刻蚀；温和的灰化处理；第一湿法清洗处理；刻蚀后处理；第二湿法清洗处理；硅外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
