[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，在组合了激光加工方法和磨削方法合而成的晶片的加工方法中，按照使芯片角在磨削时不产生亏缺的方式分割晶片。一种晶片(W)的加工方法，该晶片(W)具有正面(Wa)，在该正面上的由多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件(D)，该晶片(W)的加工方法包含如下的步骤：在晶片正面(Wa)上粘贴正面保护带(T)；在实施了正面保护带粘贴步骤之后对正面保护带(T)和晶片(W)进行加热；在实施了加热步骤之后，沿着间隔道向晶片背面(Wb)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片(W)的内部形成改质层；以及在实施了改质层形成步骤之后，对晶片背面(Wb)进行磨削而将晶片(W)薄化至规定的厚度并且以改质层为起点将晶片(W)分割成各个芯片(C)的磨削步骤。

主权项

一种晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层为起点将晶片分割成各个芯片。