[发明专利]浮栅、具有该浮栅的闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711100006.6 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107863382A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;田志;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浮栅，位于第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离之间，并通过隧穿氧化层设置在硅基衬底上。其中，相邻的第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离之间，并异于硅基衬底的一侧形成浮栅容置结构，且容置结构与浮栅的结构相匹配，浮栅之外表面积大于以浮栅之与隧穿氧化层相邻的基底为直径形成的圆柱之外表面积。本发明在第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离形成后，通过增加氧化层刻蚀量，使容置结构之内表面积大于以容置结构之紧邻硅基衬底的基板为直径形成的圆柱之外表面，进而在形成浮栅后，浮栅之外表面积大于以浮栅之与隧穿氧化层相邻的基底为直径所形成的圆柱之外表面积，增加控制栅对浮栅包裹的面积，有效的增加耦合率，并改善闪存器件的存储速度。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅 具有 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅，位于两相邻的第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离之间，并通过隧穿氧化层设置在硅基衬底上，其特征在于，相邻的所述第一浅沟槽隔离和所述第二浅沟槽隔离之间，并异于所述硅基衬底的一侧形成浮栅的容置结构，且所述容置结构与所述浮栅的结构相匹配，所述浮栅之外表面积大于以所述浮栅之与所述隧穿氧化层相邻的基底为直径所形成的圆柱之外表面积。
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