[发明专利]刻蚀工艺方法有效
申请号: | 201711097030.9 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN108091556B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀工艺方法,包括步骤:步骤一、确定干法刻蚀工艺腔中的刻蚀速率分布并找出干法刻蚀速率最低的区域位置。步骤二、确定湿法刻蚀工艺设备中的刻蚀速率分布并找出湿法刻蚀速率最高的区域位置。步骤三、对晶圆产品片的被刻蚀材料层进行如下刻蚀:步骤31、进行干法刻蚀。步骤32、将晶圆产品片转动一固定角度使晶圆产品片上的干法刻蚀速率最低的区域定位在后续湿法刻蚀中湿法刻蚀速率最高的区域。步骤33、进行湿法刻蚀。本发明能提高刻蚀的面内均匀性,能防止被刻蚀材料残留,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 湿法刻蚀 刻蚀 干法刻蚀 晶圆产品 刻蚀材料 刻蚀工艺 区域位置 干法刻蚀工艺 面内均匀性 产品良率 工艺设备 区域定位 转动 残留 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤一、确定晶圆假片上的被刻蚀材料层在干法刻蚀工艺腔中的刻蚀速率分布,找出所述晶圆假片上的干法刻蚀速率最低的区域位置;/n在所述干法刻蚀工艺腔中包括有真空阀门,所述晶圆假片上的干法刻蚀速率最低的区域位置位于所述真空阀门的对侧的边缘区域;/n步骤二、确定所述晶圆假片上的所述被刻蚀材料层在湿法刻蚀工艺设备中的刻蚀速率分布,找出所述晶圆假片上的湿法刻蚀速率最高的区域位置;/n步骤三、对晶圆产品片的被刻蚀材料层进行如下刻蚀:/n步骤31、将所述晶圆产品片放置在所述干法刻蚀工艺腔中进行干法刻蚀;/n步骤32、所述干法刻蚀完成之后将所述晶圆产品片从所述干法刻蚀工艺腔取出并将所述晶圆产品片转动一固定角度进行角度定位,所述固定角度使所述晶圆产品片上的干法刻蚀速率最低的区域定位在后续湿法刻蚀中湿法刻蚀速率最高的区域;/n步骤33、将进行了角度定位的所述晶圆产品片放置所述湿法刻蚀工艺设备中进行湿法刻蚀,在所述湿法刻蚀中,所述湿法刻蚀速率最高的区域定位于所述干法刻蚀速率最低的区域,防止所述晶圆产品片上的被刻蚀材料层残留。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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