[发明专利]有热AWG芯片的封装方法及其封装结构在审
| 申请号： | 201711087973.3 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107817553A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李素霞;张汛 | 申请（专利权）人： | 深圳新飞通光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电通信技术领域，具体公开了一种有热AWG芯片的封装方法及其封装结构，该方法包括步骤a将筛选出的温度不合格且已切成单粒的AWG芯片与输入/输出光纤阵列耦合；步骤b在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域沿任意角度直线切割，将AWG芯片切开成两段；步骤c把切断的AWG芯片两部分重新耦合，保证AWG芯片的中心波长偏移ITU波长在移ITU波长(T1‑T2)×0.011nm之间；步骤d在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率等同的匹配液，并对切缝两边的AWG芯片进行定位固定；步骤e将上述整个组件用导热胶粘在加热器上。本发明通过合理利用温度超标的AWG芯片进行封装，可以极大的提高AWG芯片的利用率，降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | awg 芯片 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种有热AWG芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a：将筛选出的温度不合格且已切成单粒的AWG芯片与输入/输出光纤阵列耦合形成一子组件；步骤b：在AWG芯片的输入端或输出端平板波导区域，沿任意角度直线切割，将AWG芯片切开成两段；步骤c：把切断的AWG芯片两部分重新耦合，耦合环境温度为T1，调节切缝两侧的平板波导，保证AWG芯片的中心波长偏移ITU波长在(T1‑T2)×0.011nm，其中T2为芯片的工作温度；步骤d：在耦合好的AWG芯片的切缝处，填充折射率等同的匹配液，并对切缝两边的AWG芯片进行定位固定；步骤e：将上述整个组件用导热胶粘在加热器上。
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