[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201711085721.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108074887B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴智亨;金本吉;金俊永;金阳锡;邱彦纳拉;李英宇;纳都汗 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑;贺亮 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置以及其制造方法。本发明揭示半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括形成在模制部分的孔洞内的导电屏蔽层。本发明的各种态样(举例而言且是非限制性的)包括半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括沿着孔洞的壁形成的导电屏蔽层以改善EMI屏蔽效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其具有第一表面；第一半导体晶粒，其被电性连接至所述基板的所述第一表面；模制部分，其在所述基板的所述表面上，其中所述模制部分覆盖所述第一半导体晶粒并且包括暴露所述基板的所述第一表面的一区域的孔洞；导电屏蔽层，其在所述模制部分上；以及第二半导体晶粒，其在所述孔洞内并且被电性连接至所述基板的所述第一表面。
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