“金本吉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN202310828019.4在审
发明人：吴智亨;金本吉;金俊永;金阳锡;邱彦纳拉;李英宇;纳都汗 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：半导体装置以及其制造方法。本发明揭示半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括形成在模制部分的孔洞内的导电屏蔽层。本发明的各种态样(举例而言且是非限制性的)包括半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括沿着孔洞的壁形成的导电屏蔽层以改善EMI屏蔽效能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201610498702.6有效
发明人：李杰恩;金本吉;金阳锡;崔旭;俞升宰;李英宇;邱彦纳拉;班东和 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装及其制造方法。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造其之方法，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201711085721.7有效
发明人：吴智亨;金本吉;金俊永;金阳锡;邱彦纳拉;李英宇;纳都汗 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置以及其制造方法。本发明揭示半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括形成在模制部分的孔洞内的导电屏蔽层。本发明的各种态样(举例而言且是非限制性的)包括半导体装置以及其制造方法，半导体装置包括沿着孔洞的壁形成的导电屏蔽层以改善EMI屏蔽效能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置-CN201610495703.5有效
发明人：柳智妍;金本吉;新及补 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示，并且例如可以包含基板，其包括顶表面以及底表面；沟槽，从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内，并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。
具有用于嵌入式装置蚀刻沟槽半导体

[发明专利]制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构-CN201610515932.9有效
发明人：班文贝;金本吉;金锦雄;郑季洋 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构。在一个实施例中，半导体封装包括具有精细节距的多层囊封传导基板。该多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置在引线之间；第一传导层，其电连接到多个引线；传导柱，其安置在该第一传导层上；第二囊封物，其囊封第一传导层和传导柱；以及第二传导层，其电连接到传导柱并且在第二囊封物中暴露。半导体裸片电连接到该第二图案化传导层。第三囊封物至少覆盖该半导体裸片。
制造具有多层传导半导体封装方法结构

[发明专利]具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装及方法-CN202111213887.9在审
发明人：班文贝;金本吉;金锦雄;权杰督;江详烨 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装及方法。在一个实施例中，所述可路由的模制引线框架结构包含第一层压层，所述第一层压层包含所述表面修整层、连接到所述表面修整层的导通孔，及覆盖所述导通孔从而使所述表面修整层的顶部表面暴露的第一树脂层。第二层压层包含连接到所述导通孔的第二传导图案、连接到所述第二传导图案的凸块垫，及覆盖所述第一树脂层的一个侧、所述第二传导图案及所述凸块垫的第二树脂层。半导体裸片电连接到所述表面修整层，且囊封物覆盖所述半导体裸片及所述第一树脂层的另一侧。所述表面修整层提供用于将所述半导体裸片连接到所述可路由的模制引线框架结构的可定制且经改进的接合结构。
具有路由传导衬底半导体封装方法

[发明专利]具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装及方法-CN201610571284.9有效
发明人：班文贝;金本吉;金锦雄;权杰督;江详烨 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装及方法。在一个实施例中，所述可路由的模制引线框架结构包含第一层压层，所述第一层压层包含所述表面修整层、连接到所述表面修整层的导通孔，及覆盖所述导通孔从而使所述表面修整层的顶部表面暴露的第一树脂层。第二层压层包含连接到所述导通孔的第二传导图案、连接到所述第二传导图案的凸块垫，及覆盖所述第一树脂层的一个侧、所述第二传导图案及所述凸块垫的第二树脂层。半导体裸片电连接到所述表面修整层，且囊封物覆盖所述半导体裸片及所述第一树脂层的另一侧。所述表面修整层提供用于将所述半导体裸片连接到所述可路由的模制引线框架结构的可定制且经改进的接合结构。
具有路由传导衬底半导体封装方法

[发明专利]用以制造具有多层模制导电基板和结构半导体封装的方法-CN201610342189.1有效
发明人：班文贝;元秋亨;郑季洋;金本吉;金即俊;李钟炫 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：用以制造具有多层模制导电基板和结构的半导体封装的方法。在一个实施例中，一种用于制造一半导体封装的方法包括提供一多层模制导电结构。该多层模制导电结构包括：一第一导电结构，其设置在一载板的一表面上；和一第一囊封剂，其覆盖该第一导电结构的至少部分，而其它部分暴露于该第一囊封剂中。一第二导电结构设置在该第一囊封剂上，并且电气连接到该第一导电结构。一第二囊封剂覆盖该第二导电结构的一第一部分，而该第二导电结构的一第二部分暴露到外部，并且该第二导电结构的一第三部分暴露于设置在该第二囊封剂中的一接收空间中。该方法包括：将一半导体晶粒电气连接至该第二导电结构，并在一些实施例中，移除该载板。
用以制造具有多层制导电基板结构半导体封装方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110338446.5在审
发明人：李杰恩;李英宇;邱彦纳拉;班东和;崔旭;郑顾熊;金本吉;新闵哲;林河贞;金姬贤;金祥恒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装及其制造方法。本发明提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括形成于从所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到所述衬底的所述第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201610493495.5有效
发明人：李杰恩;李英宇;邱彦纳拉;班东和;崔旭;郑顾熊;金本吉;新闵哲;林河贞;金姬贤;金祥恒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装及其制造方法。本发明提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括形成于从所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到所述衬底的所述第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]制造半导体封装的方法以及使用其制造的半导体封装-CN201610543434.5在审
发明人：李胜吴;金本吉;班文贝;姜桑古 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：制造半导体封装的方法以及使用其制造的半导体封装。本發明可以通过形成在上面可以安装半导体裸片的引线框而无需单独研磨过程来简化该半导体封装的制造过程，并且可以通过防止在研磨过程期间弯曲的出现来改进产品可靠性。在实施例中，制造半导体封装的方法包括在载体上形成框；在框上形成第一图案层；使用第一囊封物第一囊封框和第一图案层；形成电连接到第一图案层同时穿过第一囊封物的传导通路；形成电连接到第一囊封物上的传导通路的第二图案层；形成第一焊接掩模，第一焊接掩模形成于第一囊封物上并且向外暴露第二图案层的一部分；通过刻蚀过程移除框并且蚀刻第一图案层的一部分；以及将半导体裸片附接到第一图案层。
制造半导体封装方法以及使用

[实用新型]半导体封装-CN201620671338.4有效
发明人：李杰恩;金本吉;金阳锡;崔旭;俞升宰;李英宇;邱彦纳拉;班东和 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。
半导体封装

[实用新型]半导体封装-CN201620665495.4有效
发明人：李杰恩;李英宇;邱彦纳拉;班东和;崔旭;郑顾熊;金本吉;新闵哲;林河贞;金姬贤;金祥恒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装。本实用新型提供一种半导体封装。作为非限制性实例，本实用新型的各个方面提供一种半导体封装，所述半导体封装包括衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括形成于从所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到所述衬底的所述第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。
半导体封装

[实用新型]半导体装置及经封装半导体装置-CN201620763639.X有效
发明人：班文贝;金本吉;金锦雄;权杰督;江详烨 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体装置及经封装半导体装置，包含具有表面修整层的可路由的模制引线框架结构。所述可路由的模制引线框架结构包含第一层压层，所述第一层压层包含所述表面修整层、连接到所述表面修整层的导通孔，及覆盖所述导通孔从而使所述表面修整层的顶部表面暴露的第一树脂层。第二层压层包含连接到所述导通孔的第二传导图案、连接到所述第二传导图案的凸块垫，及覆盖所述第一树脂层的一个侧、所述第二传导图案及所述凸块垫的第二树脂层。半导体裸片电连接到所述表面修整层，且囊封物覆盖所述半导体裸片及所述第一树脂层的另一侧。所述表面修整层提供用于将所述半导体裸片连接到所述可路由的模制引线框架结构的可定制且经改进的接合结构。
半导体装置封装

[实用新型]具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置-CN201620667162.5有效
发明人：柳智妍;金本吉;新及补 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示，并且例如可以包含基板，其包括顶表面以及底表面；沟槽，从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内，并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。
具有用于嵌入式装置蚀刻沟槽半导体

1
2
下一页»
尾页
共 18 条