[发明专利]芯片和功率晶体管在审
| 申请号： | 201711084611.9 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108063127A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | J·朱斯;W·V·埃姆登 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/538;H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
描述一种用于功率晶体管的芯片以及一种功率晶体管。为了功率晶体管的高效散热，所述芯片除了衬底和源极金属化结构之外还包括第一铜层和第二铜层，所述第二铜层布置在所述第一铜层与所述源极金属化结构之间。所述第二铜层至少导热地布置到所述源极金属化结构上，其中，所述第一铜层与所述第二铜层电绝缘地连接。所述芯片允许一种具有低热阻抗Z |
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| 搜索关键词： | 芯片 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于功率晶体管(10)的芯片(100)，其中，所述芯片包括衬底(300)以及所述衬底(300)的第一侧上的源极金属化结构(400)，其特征在于，所述芯片包括第一铜层(710)和第二铜层(720)，所述第二铜层布置在所述第一铜层(710)与所述源极金属化结构(400)之间，其中，所述第二铜层(720)至少能够导热地布置在所述源极金属化结构(400)上，其中，所述第一铜层(710)与所述第二铜层(720)电绝缘地连接。
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