[发明专利]隧道场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711026937.6 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109728080B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林俊豪;唐俊荣;陈信宇;谢守伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种隧道场效应晶体管及其制作方法，该隧穿场效晶体管主要包含：一第一栅极结构设于基底上、一源极区域具有第一导电型式设于第一栅极结构一侧、一漏极区域具有第二导电型式设于第一栅极结构另一侧、一第一隔离结构设于源极区域旁以及一第二隔离结构设于该漏极区域旁，其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构包含相同材料以及不同深度。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧道场效应晶体管，包含：第一栅极结构，设于一基底上；源极区域，具有第一导电型式设于该第一栅极结构一侧；漏极区域，具有第二导电型式设于该第一栅极结构另一侧；第一隔离结构，设于该源极区域旁；以及第二隔离结构，设于该漏极区域旁，其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构包含不同材料以及不同深度。
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