[发明专利]一种制造具有多层沟道结构的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710945403.7 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN108122967B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;叶致锴;吴政宪;江宏礼;邱荣标;陈自强;李宗霖;杨玉麟;陈奕升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件。FinFET包括设置在鳍上的沟道，设置在沟道上方的栅极以及源极和漏极。沟道包括至少两对第一半导体层和形成在第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层具有与第二半导体层不同的晶格常数。至少在一对中，第一半导体层的厚度是第二半导体层的厚度的三至十倍。本发明实施例涉及一种制造具有多层沟道结构的半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 具有 多层 沟道 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件，所述鳍式场效应晶体管包括：沟道，设置在鳍上；栅极，设置在所述沟道上方；以及源极和漏极，其中：所述沟道包括至少两对第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第一半导体层具有与所述第二半导体层不同的晶格常数，以及至少在一对第一半导体层和第二半导体层中，所述第一半导体层的厚度是所述第二半导体层的厚度的三至十倍。
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