[发明专利]一种肖特基器件的制备方法及结构在审
| 申请号： | 201710916405.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599443A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈茜;余俊良;杨月星 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基器件的制备方法及结构，该方法包括：在衬底上形成沟槽；用高密度等离子体气相沉积法在沟槽底部填充底部氧化层；在沟槽内填满光阻后去除沟槽外的氧化层；在沟槽侧壁上生长栅氧层并于沟槽内填充导电材料；去除沟槽上部的部分导电材料及栅氧层，在沟槽中部保留栅氧层及导电材料；在衬底表面、沟槽上部沉积肖特基金属层；在肖特金属层上形成电极层和金属引线层；电极层下凹填满沟槽的上部空间。本发明有利于在保持器件低漏电、耐压的基础上增加器件的抗反向浪涌能力，有效的降低相同器件面积下的沟槽型肖特基器件的正向导通电压，可缩小沟槽间距，减小特征尺寸，提高芯片集成度，并易于实现，成本可控。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基器件 栅氧层 导电材料 电极层 填满 去除 制备 高密度等离子 填充导电材料 肖特基金属层 正向导通电压 底部氧化层 金属引线层 芯片集成度 漏电 衬底表面 底部填充 沟槽侧壁 上部空间 沉积法 沟槽型 金属层 氧化层 衬底 光阻 减小 可控 浪涌 耐压 下凹 沉积 生长 保留 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在N型外延层衬底上形成沟槽；S2采用高密度等离子体气相沉积法在所述沟槽底部填充一定厚度的底部氧化层，然后去除所述底部氧化层上方沟槽侧壁上的氧化层；S3在所述沟槽内填满光阻，然后去除所述沟槽外的氧化层；S4去除所述光阻，然后在暴露的所述沟槽侧壁上生长栅氧层，并于所述沟槽内填充导电材料；S5去除所述沟槽上部的部分所述导电材料、上部侧壁上的栅氧层及所述沟槽外部的栅氧层，在所述沟槽中部保留栅氧层及导电材料；S6在所述N型外延层衬底表面、所述沟槽上部的侧壁及暴露出的所述栅氧层和导电材料的表面沉积肖特基金属层；S7在所述肖特金属层上形成电极层，并在所述电极层上形成金属引线层；所述电极层覆盖所述N型外延层衬底表面的肖特基金属层并下凹填满所述沟槽的上部空间。
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