[发明专利]基于1‑3型水泥基压电复合材料的剪应力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201710861482.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107706298A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李应卫;姜清辉;马永力;丁绍华 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L41/053 | 分类号： | H01L41/053;H01L41/18;H01L41/23;H01L41/37 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于1‑3型水泥基压电复合材料的剪应力传感器及制备方法，该剪应力传感器包括1‑3型水泥基压电复合材料元件，以及1‑3型水泥基压电复合材料元件外依次包覆的封装层、屏蔽层；1‑3型水泥基压电复合材料元件的正极和负极均通过导线引出至屏蔽层外与屏蔽线相连，屏蔽线连接屏蔽层。该元件包括水泥基压电复合材料主体和电极，其中，水泥基压电复合材料主体由压电陶瓷柱构成的压电陶瓷柱阵列和充填于压电陶瓷柱间的水泥基材构成；压电陶瓷柱阵列是通过对极化后的压电陶瓷块切割获得，切割方向与压电陶瓷块极化方向垂直。本发明传感器灵敏度高、频带响应宽、抗干扰效果好，且与混凝土结构相容性好，可用于混凝土结构健康监测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 水泥 压电 复合材料 剪应力 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种1‑3型水泥基压电复合材料元件，包括水泥基压电复合材料主体和电极，其特征是：所述水泥基压电复合材料主体由压电陶瓷柱构成的压电陶瓷柱阵列和充填于压电陶瓷柱间的水泥基材构成；所述压电陶瓷柱阵列是通过对极化后的压电陶瓷块切割获得，切割方向与压电陶瓷块的极化方向垂直。
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- 本实用新型揭示了一种内置围堰的滤波器芯片封装结构，封装结构包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰，与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；其中，封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰位于若干通孔的内侧。本实用新型通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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- 本实用新型公开了一种声表面滤波芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括正面设有芯片功能区（11）的声表面波滤波器芯片（10），所述声表面波滤波器芯片（10）通过金属连接块（12）与多层再布线层（20）多点倒装连接，将声表面波滤波器芯片（10）的电信号向下传导；所述金属挡环（60）设置在多层再布线层（20）的外围，且与多层再布线层（20）固连，金属挡环（60）呈围墙状，其内侧区域置于声表面波滤波器芯片（10）的芯片功能区（11）的垂直区域中；所述包封层（16）在声表面波滤波器芯片（10）的下方、金属挡环（60）的内侧形成空腔（14），将所述芯片功能区（11）置于空腔（14）内。本实用新型提高了声表面波滤波器的成品率。
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- 本实用新型揭示了一种带有双围堰滤波器芯片的封装结构，封装结构包括：封装基板，具有外部引脚；滤波器芯片，具有若干电极；围堰，包括位于电极内侧的第一围堰及位于电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，焊锡结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚。本实用新型通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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- 一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法-201811331085.6
- 陈栋;张黎;柳国恒;张憬;赵强;陈锦辉;赖志明 - 江阴长电先进封装有限公司
- 2018-11-09 - 2019-01-18 - H01L41/053
- 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括正面设有芯片功能区的声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层再布线层、金属块Ⅰ、金属挡环和包封层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装连接，将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；所述金属挡环设置在金属连接块和金属块Ⅰ的外围的多层再布线层的上表面，呈围墙状，所述包封层在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方、金属挡环的内侧形成空腔，将所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。
- 带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法-201810911164.8
- 付伟 - 付伟
- 2018-08-10 - 2018-12-25 - H01L41/053
- 本发明揭示了一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有外部引脚；滤波器芯片，具有电极；围堰，包括位于电极内侧的第一围堰及位于电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
- 带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法-201810911188.3
- 付伟 - 付伟
- 2018-08-10 - 2018-12-21 - H01L41/053
- 本发明揭示了一种带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面具有若干电极；围堰，与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰位于若干通孔的内侧，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
- 一种表面波滤波器器件结构-201820785940.X
- 尚荣耀;杨濬哲;中村博文;谢祥政;朱庆芳;蔡文必 - 厦门市三安集成电路有限公司
- 2018-05-24 - 2018-12-21 - H01L41/053
- 本实用新型提供了一种表面波滤波器件结构，包括：基板、芯片、晶圆片、封装材料；所述芯片键合在基板的上表面，所述芯片远离基板的一侧连接所述晶圆片；所述晶圆片在芯片外设置有阻隔件，所述阻隔件沿着平行和垂直晶圆片的方向延伸，并且阻隔件的端面与基板之间间隔一定缝隙；所述封装材料位于阻隔件外，并包覆所述晶圆片的侧面和远离基板的一面；所述阻隔件阻挡封装材料进入所述晶圆片设置芯片的区域中。本实用新型提供了一种表面波滤波器的器件结构和制作方法，有效的解决表面波滤波器在封装过程中环氧树脂的填充不足或过量的问题，提高产品的可靠性。
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