[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710839084.1 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109524454B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;林鑫成;林永豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法。该增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)包括基板、设置于上述基板上的第一III‑V族半导体层、设置于上述第一III‑V族半导体层上的第二III‑V族半导体层、设置于上述第二III‑V族半导体层上的第三III‑V族半导体层、自上述第三III‑V族半导体层延伸进入上述第二III‑V族半导体层及第一III‑V族半导体层中以作为隔离区的非晶(amorphous)区以及设置于上述非晶区中的栅极电极。上述第二III‑V族半导体层与第三III‑V族半导体层包括相异的材料以形成异质接合(heterojunction)。本发明可避免或降低栅极漏电以提高其效能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：一基板；一第一III‑V族半导体层，设置于该基板上；一第二III‑V族半导体层，设置于该第一III‑V族半导体层上；一第三III‑V族半导体层，设置于该第二III‑V族半导体层上，其中该第二III‑V族半导体层与该第三III‑V族半导体层包括相异的材料以形成一异质接合；一非晶区，自该第三III‑V族半导体层延伸进入该第二III‑V族半导体层及该第一III‑V族半导体层中以作为一隔离区；以及一栅极电极，设置于该非晶区中。
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