[发明专利]一种器件的后处理方法在审
| 申请号： | 201710813865.3 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107652858A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杨兴;姚嘉林;徐若煊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09D165/04 | 分类号： | C09D165/04;C09D5/08;C08G61/02;B05D1/00 |
| 代理公司： | 北京博讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11593 | 代理人： | 吕战竹 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其包括步骤S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。本发明的后处理方法具有如下优点处理后的几乎不影响器件尺寸，能较好地保留器件原有性能，并且成本低、工艺简单、防护可靠、安全、以及具有较高的疲劳强度等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其特征在于，包括步骤：S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。
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- 杨兴;姚嘉林;徐若煊 - 清华大学
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- 本发明公开了一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其包括步骤S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。本发明的后处理方法具有如下优点处理后的几乎不影响器件尺寸，能较好地保留器件原有性能，并且成本低、工艺简单、防护可靠、安全、以及具有较高的疲劳强度等。
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