[发明专利]一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法

摘要

本发明提出的一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法，通过采用杂质分凝技术(dopant segreation)改善金属/SiC欧姆接触性能；杂质分凝技术能实现对肖特基势垒的有效调制，同时还能提高界面处杂质的激活浓度，进而非常有利于实现金属/SiC理想的欧姆接触；而且该方法能够通过注入n型和p型杂质分别实现对电子、空穴势垒的调节，进而都适用于n‑SiC和p‑SiC的欧姆接触，利于基于SiC衬底同时实现n型和p型欧姆接触。此外，该方法具有工艺简单、与传统CMOS工艺完全兼容等优势，因而该技术在SiC高压功率器件中具有非常大的应用前景。

主权项

一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法，其特征在于工艺步骤如下：（1）在SiC样品表面进行牺牲氧化，并去除氧化层；（2）再次将SiC进行高温氧化，形成氧化层；（3）在氧化层上采用等离子体增强化学气相淀积设备沉积形成介质层；（4）通过光刻在介质层上定义出离子注入区域，并刻蚀出离子注入窗口，按照工艺要求保留一定厚度的介质层作为离子注入掩蔽层；（5）低能离子注入：n型衬底注入氮N，p型衬底注入硼B；（6）采用湿法腐蚀去除掩蔽层并进行表面处理；（7）淀积金属薄膜；（8）快速退火形成硅化物并实现杂质分凝；（9）在正面淀积电极加厚金属；（10）光刻Pad图形并刻蚀形成正面电极。