[发明专利]一种阵列共源极填充结构及其制备方法

摘要

提供了一种阵列共源极填充结构及其制备方法。该共源极填充结构位于层间绝缘层中的共源极接触孔内，包括下部多晶硅部分以及上部钨金属部分，并且下部多晶硅部分为As/B重掺杂多晶硅，还通过快速热处理以使得所述多晶硅部分的As/B掺杂剂被激活并使得部分所述多晶硅被晶化。通过将共源极钨填充部分地替换为多晶硅显著降低了晶片应力。此外，通过进行快速热晶化处理而利用非原位注入的砷和硼改善了多晶硅的电导率和霍尔迁移率以获得了更好的电特性。

主权项

1.一种共源极填充结构的制备方法，其特征在于，包括：S1：在层间绝缘层中对应共源区形成多个凹槽以作为共源极接触孔；S2：沉积多晶硅以形成覆盖上述接触孔侧壁的第一多晶硅层，接着实施NH3等离子体处理，并向该第一多晶硅层实施As/B重掺杂；S3：进一步沉积多晶硅层以形成将上述凹槽完全填充的第二多晶硅层，向该第二多晶硅层实施As/B重掺杂，接着实施快速热晶化处理；S4：去除晶片背侧和前侧的多晶硅，并进行多晶硅回蚀，从而使得凹槽内的多晶硅被部分地去除以在凹槽上部形成凹部；S5：利用钨金属将上述凹部完全填充。