[发明专利]金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜在审
| 申请号： | 201710763547.0 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107644806A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘川;李敏敏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜，所述方法包括在亲水衬底表面上，进行疏水处理，或在疏水衬底表面上，进行亲水处理，形成表面能不同的亲疏水两种界面，且两种界面间形成特定形状的微纳图形排列结构；将金属氧化物前驱体涂覆在形成的具有所述微纳图形排列结构的衬底上，自发发生润湿和去润湿的自组装行为，获得图形化的有序金属氧化物薄膜。另一方面，本发明实施例提供了一种上述金属氧化物有序自组装图形化制备方法制备得到的金属氧化物薄膜。上述技术方案具有如下有益效果该方法具备无损伤、低耗材、一次性图形化的优点，而且同时适用于硬性衬底(玻璃、二氧化硅、硅等)和柔性衬底(PET、PDMS、PI等)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 有序 组装 图形 制备 方法 薄膜 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物有序自组装图形化制备方法，其特征在于，所述方法包括：在亲水衬底表面上，进行疏水处理，或在疏水衬底表面上，进行亲水处理，形成表面能不同的亲疏水两种界面，且两种界面间形成特定形状的微纳图形排列结构；将金属氧化物前驱体涂覆在形成的具有所述微纳图形排列结构的衬底上，自发发生润湿和去润湿的自组装行为，获得图形化的有序金属氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
