[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201710716560.0 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107527924B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 李金明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/34;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板,该阵列基板包括:衬底基板;栅极层;栅极绝缘层;公共电极层,公共电极层包括第一公共电极层、第二公共电极层以及第三公共电极层,第一公共电极层和第二公共电极层分别位于栅极层的两端;源极层和漏极层;金属氧化物半导体材料层,覆盖在源极层、栅极绝缘层以及漏极层上,其中,第一公共电极层和第二公共电极层的透明电极材料与金属氧化物半导体材料层的金属氧化物半导体材料在相互接触区域形成轻掺杂漏结构LDD;钝化层;平坦层;像素电极层。通过上述方式,能够实现非离子注入的方式形成轻掺杂漏结构LDD,消除界面缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;栅极层,形成在所述衬底基板上;栅极绝缘层,覆盖在所述衬底基板和所述栅极层上;公共电极层,间隔形成在所述栅极绝缘层上,其中,所述公共电极层包括第一公共电极层、第二公共电极层以及第三公共电极层,所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别位于所述栅极层的两端;源极层和漏极层,分别形成在所述第一公共电极层和所述第二公共电极层上;金属氧化物半导体材料层,覆盖在所述源极层、所述栅极绝缘层以及所述漏极层上,其中,所述第一公共电极层和所述第二公共电极层的透明电极材料与所述金属氧化物半导体材料层的金属氧化物半导体材料在相互接触区域形成轻掺杂漏结构LDD;钝化层,覆盖在所述金属氧化物半导体材料层、所述栅极绝缘层以及所述第三公共电极层上;平坦层,形成在所述钝化层上,其包括贯穿所述平坦层的接触孔,所述接触孔的一端延伸并贯通所述钝化层、所述金属氧化物半导体材料层,与所述漏极层连接,所述接触孔中填充的材料为透明电极材料;像素电极层,间隔形成在所述平坦层上,所述接触孔的另一端与所述像素电极层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710716560.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种减震式农业播种设备
- 下一篇:一种智能仿生精量排种器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的