[发明专利]器件及其制造方法在审
申请号: | 201710709806.1 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN107768305A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 李镐珍;文光辰;金石镐;方硕哲;安振镐;李来寅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 吴晓兵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件包括具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体衬底;在半导体衬底的第一表面中形成的沟槽中的蚀刻停止图案;在半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层;以及穿过半导体衬底和第一绝缘层的通孔。蚀刻停止图案包围通孔的侧表面的一部分。 | ||
搜索关键词: | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体衬底;在所述半导体衬底的第一表面中形成的沟槽中的蚀刻停止图案;在所述半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层;以及穿过所述半导体衬底和所述第一绝缘层的通孔,所述蚀刻停止图案包围所述通孔的侧表面的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造