[发明专利]与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法在审
| 申请号： | 201710706564.0 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107367900A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 | 申请（专利权）人： | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于在紫外(UV)、超紫外(EUV)、和/或软X射线波长上工作的设备和系统中的纳米结构的光子学材料及相关联的组件。此类材料可用针对所选波长范围(诸如在特定UV、EUV、或软X射线波长或波长范围上)设计的纳米尺度特征来制造。此类材料可被用于制作诸如反射镜、透镜或其他光学器件、面板、光源、掩模、光刻胶之类的组件、或者用在诸如光刻、晶片图案化、生物医疗应用之类的应用或其他应用中的其他组件。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 其他 应用 中的 紫外 辐射 联用 材料 组件 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光学元件的方法，包括：提供基板；在所述基板上组装多个纳米尺度特征，所述纳米尺度特征的尺寸在0.1nm至250nm的范围中；在所述纳米尺度特征周围集成第二材料；并且其中，所述光学元件以0.1nm至250nm的范围中的经选择的波长操作。
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