[发明专利]与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法

权利要求书

1.一种用于制造光学元件的方法，包括：

提供基板；

在所述基板上组装多个纳米尺度特征，所述纳米尺度特征的尺寸在0.1nm至250nm的范围中；

在所述纳米尺度特征周围集成第二材料；并且

其中，所述光学元件以0.1nm至250nm的范围中的经选择的波长操作。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括至少部分地移除所述基板的步骤，并且其中所述光学元件被构造为自立结构、隔膜、部分受支撑的结构或支撑结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组装步骤包括将所述纳米尺度特征组装为牺牲结构或脚手架结构，并且进一步包括在所述纳米尺度特征周围集成所述第二材料之后至少部分地移除所述纳米尺度特征的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组装步骤包括使用嵌段共聚物、软模板法或直接自组装来组装所述纳米尺度特征。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学元件被构造为膜、反射镜、涂层、光掩模、反光片、滤光器、光刻胶膜或层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二材料经选择为金属、聚合物、电介质、气体、有机材料、半导体、元素或化合物、空气、液体、化合物、半导体、聚合物、有机材料、生物材料、单原子材料、空气、碳、钼、铍、镧、碳化硼、硅、SiO₂、TiO₂、钌、铌、铑、金、银、铜、铂、钯、锗、DNA、蛋白质、石墨烯、石墨、碳纳米管、MoS、O₂、N₂、He、H₂、Ar或CO₂。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集成步骤包括在所述纳米尺度特征周围沉积、电化学沉积、电沉积、电成型或电镀所述第二材料。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米尺度特征的尺寸小于所述目标波长。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米尺度特征为空隙。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括使用化学蚀刻来清洁所述光学元件或使所述光学元件平滑化的步骤。

11.一种用于从光学元件移除缺陷的方法，包括：

提供所述光学元件，作为光掩模、反射镜、透镜、膜、滤光器、基板、检测器、反光片、层、压盖层或反射层；以及

用激光照射所述缺陷以移除所述缺陷。

12.一种用于制造光学元件的方法，包括：

提供第一涂层，作为膜、层或多层；

将第二涂层涂覆在所述第一涂层上，所述第二涂层包括多个纳米尺度特征，所述纳米尺度特征的尺寸在0.1nm至250nm的范围中；并且

其中，所述第二涂层以0.1nm至250nm的范围中的经选择的波长操作。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二涂层具有在两个或更多个维度上的周期性，并且所述第一涂层是多层。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二涂层具有维度比所述第一涂层高的周期性。

15.一种用于制造材料的方法，所述材料配置为以UV、EUV或软X射线波长段中的特定波长反射、吸收或发射电磁辐射，所述方法包括：

抛光寄主层或基板；

在所述寄主层或基板上组装聚合物、脚手架或牺牲结构；

在所述聚合物、脚手架或牺牲结构上生长主层，或穿过所述聚合物、脚手架或牺牲结构生长主层；以及

移除所述聚合物、脚手架或牺牲结构。

16.一种针对与UV、EUV或软X射线波长段中的特定波长的电磁辐射一起使用而构造的光学元件，包括：

反射性、透射性、保护性、分散性或压盖层涂层；并且

其中，所述涂层包括一种或多种材料，其中所述材料中的至少一种是单原子材料。

17.如权利要求16所述的光学元件，其特征在于，所述单原子材料是石墨烯、石墨、硫化钼、或碳纳米管。

18.如权利要求16所述的光学元件，其特征在于，所述反射性涂层是多层并且至少一种材料是石墨烯。