[发明专利]与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法

说明书

本申请是申请日为2013年1月18日、申请号为201380014923.6，题为“与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法”的申请的分案申请。

相关申请

本申请是提交于2012年1月19日的题为“Materials,Components,and Methods for Use with Extreme Ultraviolet Radiation in Lithography&Other Applications(与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法)”的美国临时申请第61/588601号的非临时申请，该美国临时申请的公开内容通过引用全文包括于此。

技术领域

本申请涉及与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法。

背景技术

光刻系统通常被用于制造例如器件。此类系统的分辨能力与曝光波长成比例。因此，较短的波长能改善制造中的分辨度。超紫外光刻(EUVL)使用超紫外(EUV)波长(近似120纳米至0.1纳米)上的电磁辐射。相应地，这些波长上的光子具有近似10电子伏特(eV)至12.4keV(分别对应124nm和0.1nm)范围内的能量。超紫外波长可通过诸如等离子体和同步加速器光源来人工地生成。使用EUV波长进行光刻在诸如半导体芯片等器件以及诸如聚合物电子器件、太阳能电池、生物技术、医疗技术等其他应用中具有减小特征尺寸的潜在优势。在EUV波长上，用于形成例如反光镜、透镜、光刻胶等光刻系统的组件的材料变得重要。然而，大多数材料对于EUV波长上的辐射具有高吸收率。在EUV波长上这些材料中的较高吸收降低了EUV光刻系统的性能。例如，EUV光刻系统可能需要更高的功率源来克服此吸收。

发明内容

本公开一般涉及与诸如光刻(EUVL)或其他应用中的紫外(UV)、超紫外(EUV)和软X射线辐射联用的材料、设备、装置以及方法。更具体地但并非排他性地，本公开涉及用在UV、EUV和软X射线应用中的材料和组件、以及此类材料和组件的制造方法以及此类材料和组件在使用EUV辐射的装置、设备、和系统中的使用方法。

在某些实施例中，本公开涉及可在曝光系统中使用的元件，其中该系统或子系统包括发射具有波长的光的光源。该元件可包括具有多个结构特征的材料。这多个结构特征可将该元件对于所选波长的反射率改善至大于70％。

在另一实施例中，本公开涉及可在曝光系统中使用的元件。该系统或子系统可包括发射具有波长的光的光源。该元件可包括具有多个结构特征的材料。这多个结构特征可将该元件对于所选波长的透射率改善至大于4％。

在另一实施例中，本公开涉及可在曝光系统中使用的元件。该系统或子系统可包括发射具有波长的光的光源。该元件可包括具有多个结构特征的材料。这多个结构特征可控制对于所选波长的电磁辐射吸收。

在一些实施例中，该曝光系统可包括光刻工具、生物技术系统、扫描或成像系统、天文系统、材料处理系统或者印刷系统。