[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

摘要

本发明有关一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于基板上配置有第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有发光层，发光层具有多重量子井结构，多重量子井结构包含多个彼此交替堆栈的井层及阻障层，且每两阻障层间具有一井层，阻障层为AlxInyGa1‑x‑yN，x及y满足0<x<1，0<y<1，0<x+y<1，井层为InzGa1‑zN，0<z<1。该半导体发光元件至少包含上述氮化物半导体结构，及二相配合地提供电能的第一型电极与第二型电极。由此，可调整四元组成条件以提供晶格匹配的阻障层与井层，改善因晶格不匹配所产生的晶体缺陷现象。

主权项

一种氮化物半导体结构，包括：一第一型掺杂半导体层；一发光层，包括一多重量子井结构；一InGaN基础的(InGaN based)第二型电洞提供层；以及一第二型掺杂半导体层，其中该InGaN基础的第二型电洞提供层配置于该第二型掺杂半导体层与该发光层之间，而该发光层配置于该InGaN基础的第二型电洞提供层与该第一型掺杂半导体层之间，且该多重量子井结构包括交替堆叠的多个阻障层以及多个井层，其中，该InGaN基础的电洞提供层中掺杂有浓度大于1018cm‑3的第二型掺质以及掺杂有浓度大于1017cm‑3的四族元素。