[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710636270.5 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285881A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴绍飞 | 申请（专利权）人： | 吴绍飞 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 隔离势垒层 高电子迁移率晶体管 欧姆接触电阻 隔离沟道层 缓变势垒层 电流崩塌 辅沟道层 主沟道层 介质层 源漏极 大功率器件 二维电子气 高势垒层 成核层 高可靠 衬底 高场 可用 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，其特征在于：势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层(4)与隔离势垒层(9)之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。
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