[发明专利]半导体晶片以及制备半导体器件的方法

摘要

本公开涉及半导体晶片以及制备半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体晶片，半导体晶片具有基础材料，基础材料具有第一厚度以及第一表面和第二表面。晶片划线标记设置在基础材料的第一表面上。移除基础材料的第二表面的内部区的一部分以得到小于第一厚度的第二厚度，同时留下围绕半导体晶片的具有第一厚度和非对称宽度的基础材料的边缘支撑环。基础材料的第二厚度小于75微米。晶片划线标记设置在边缘支撑环内。基础材料的第二表面的内部区的移除部分从晶片划线标记垂直偏移。边缘支撑环的宽度较宽以包围晶片划线标记并且在围绕半导体晶片的其它地方较窄。

主权项

一种制备半导体器件的方法，包括：提供包括基础材料的半导体晶片；在所述基础材料的第一表面上提供晶片划线标记；以及从与所述第一表面相对的第二表面移除所述基础材料的一部分，同时留下围绕所述半导体晶片的具有非对称宽度的所述基础材料的边缘支撑环，其中所述晶片划线标记设置在所述边缘支撑环内。