[发明专利]用于半导体制造的改进的介电膜有效
申请号: | 201710624915.3 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107887254B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 吴正一;朱立轩;温庆文;洪家骏;张振涼;李锦思;刘乡 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件,通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜,从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度,该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 改进 介电膜 | ||
【主权项】:
一种用于半导体制造的方法,包括:接收具有第一表面的器件,通过所述第一表面暴露第一金属或所述第一金属的氧化物;在所述第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜,从而使得所述介电膜在靠近所述第一表面的所述介电膜的第一部分中具有比在所述介电膜的第二部分中更高的N和C浓度,所述介电膜的第二部分比所述第一部分更远离所述第一表面;以及在所述介电膜上方形成导电部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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