[发明专利]一种GPP芯片镀金方法在审
| 申请号： | 201710615666.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309000A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;张庆东;尚杰;丁成 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GPP芯片镀金方法，包括预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GPP芯片表面原子活化；一次镀镍：在所述GPP芯片表面镀一次镍；镍烧结：镍原子向所述GPP芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在GPP芯片表面镀二次镍；镀金；在所述GPP芯片表面镀金。本发明的有益效果是GPP芯片电极面采用一次镀镍、烧结、二次镀镍以及镀金的工艺，二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀金有效的防止镍层氧化，镀镍金可以使GPP芯片与焊膏结合力更强，更有利于后道焊接，可靠性强，GPP芯片的使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 镀镍 镀金 镍层 烧结 表面镀 结合力 硅层 预处理 表面氧化层 表面原子 使用寿命 电极面 镍原子 有效地 焊膏 活化 去除 焊接 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种GPP芯片镀金方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GPP芯片表面原子活化；一次镀镍：在所述GPP芯片表面镀一次镍；镍烧结：使镍原子向所述GPP芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在所述GPP芯片表面镀二次镍；镀金；在所述GPP芯片表面镀金。
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- 克莱蒙特·巴里尔;皮埃尔·法乌;布鲁诺·肖德雷;奥利维尔·玛吉特 - 意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心
- 2009-03-30 - 2011-02-23 - H01L21/288
- 本发明涉及一种用于在底材(5)上形成底层的方法，所述底层能够使金属层随后沉积，所述方法包括在包含来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的材料的浴液(7)中浸入底材。
- 在阻挡层上具有钌电镀层的ULSI微细配线构件-200980101581.5
- 关口淳之辅;伊森彻;木名濑隆 - 日矿金属株式会社
- 2009-01-08 - 2010-12-08 - H01L21/288
- 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。
- 使用直接铜镀制造电子器件的方法-200880101397.6
- 衡石·亚历山大·尹;弗里茨·瑞德克 - 朗姆研究公司
- 2008-06-02 - 2010-07-07 - H01L21/288
- 本发明涉及半导体器件的金属化的方法和结构。本发明的一个方面是形成具有铜金属化的半导体器件的方法。在一个实施方式中，该方法包括提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效。该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的。该方法进一步包括在该种晶层上电镀铜空隙填充。本发明的另一个方面包括使用根据本发明的各实施方式的方法和结构制造的电子器件。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
