[发明专利]伪鳍蚀刻以在衬底中形成凹槽有效
| 申请号： | 201710596457.7 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107665891B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 官琬纯;廖志腾;邱意为;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种集成电路结构，包括：具有多个半导体带的半导体衬底，由多个半导体带中的两个相邻半导体带形成的第一凹槽，形成在第一凹槽内的第二凹槽，以及提供在第一凹槽和第二凹槽中的隔离区。第二凹槽具有比第一凹槽更低的深度。本发明实施例还涉及一种形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 衬底 形成 凹槽 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底，具有多个半导体带；第一凹槽，由所述多个半导体带中的两个相邻的半导体带形成；第二凹槽，形成在所述第一凹槽内；以及隔离区，提供在所述第一凹槽和所述第二凹槽中，其中，所述第二凹槽具有比所述第一凹槽更低的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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