[发明专利]一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201710582067.4 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107369706A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;卢宽宽;彭俊彪;宁洪龙;胡诗犇;陶瑞强;刘贤哲;陈建秋;徐苗;王磊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤(1)在衬底上沉积20～1000nm厚度的铜合金薄膜作为导电主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～200nm厚度的纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示 用电 器件 铜合金 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积20～1000nm厚度的铜合金薄膜作为导电主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～200nm厚度的纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。
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