[发明专利]一种通过重定向提高3D FG NAND闪存可靠性的方法有效
| 申请号： | 201710578506.4 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403643B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴非;谢长生;朱玥;熊钦 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 42233 武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋业斌 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过重定向提高3D FG NAND闪存可靠性的方法，包括：设置读干扰上限，获取闪存中原子操作的信息，包括原子操作类型以及原子操作的目标地址，获取闪存芯片中各空闲页的信息，包括页在闪存块中的位置以及页的类型。通过获取的信息对读热点页进行识别，并将读热点页中的数据迁移至产生读干扰较小的页位置，从而减小读干扰，提高闪存的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 定向 提高 dfgnand 闪存 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过重定向提高3D FG NAND闪存可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在FTL表中创建存储空间，其包括各闪存块中全部SLC页处以及闪存块按顺序编程时的前两层中的低页处的空闲页；/n(2)从闪存控制器中获取请求，并判断该请求是读操作请求，还是擦除操作请求，还是写操作请求，如果是读操作请求，则转入步骤(3)，如果是擦除操作请求，则转入步骤(7)，如果是写操作请求，则转入步骤(8)；/n(3)执行读操作请求，向上层文件系统返回该读操作请求对应的目标页的数据，计算该读操作请求对应的目标页对其所在闪存块中其余目标页产生的读干扰的总和RDP
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